截至目前沈阳护角胶，科创板存储板块公司密集披露2026年季度财报与2025年年度报告。
从整体业绩来看，板块内九成存储相关企业实现营收正增长，过半数企业净利润同比增长，芯片设计与晶圆制造两大产业链环节跑。即便身处存储行业传统业绩淡季，相关企业营收、净利仍保持较强韧。
从行业情况来看，随着全球存储芯片周期自2024年下半年触底反转，叠加AI大模型、服务器、智能终端三大需求共振，行业供需格局持续偏紧，成为本轮业绩回暖核心支撑。行业整体呈现“营收增、利润弹、研发持续加码”的强势格局。
▍佰维存储成业绩增速
据财联社星矿数据统计显示，科创板共有21涉及存储业务的公司，涵盖存储设备、材料、芯片设计、封测及终端应用等多个域。受益于DRAM、NAND Flash价格预期上涨与下游需求回暖，整体营收与净利润整体向好。
从2025年全年表现来看，21半体存储企业计营收594.61亿元，19实现营收正增长。具体来看，营收规模前五的企业为华虹公司、佰维存储、华润微、澜起科技、普冉股份。从盈利表现看，132025年净利润实现正增长，其中澜起科技以22.36亿元净利润继续跑。
除华虹公司外沈阳护角胶，其余20企业均已披露2026年季度报告。数据显示，20公司中，营收规模排名居前的包括佰维存储、澜起科技、华润微、普冉股份、东芯股份。实现营收同比正增长的达16，实现净利润同比增长的达11。
需要注意的是，季度属于存储行业传统淡季，通常并非相关企业的主要利润贡献期。
从多公司发布的新期财报来看，AI力爆发仍是动存储企业业绩增的主要动力。
数据显示，佰维存储2025年度及2026年季度营收与净利润增速均排在位，成为板块营收、净利润增速双料。该公司在2026年季度财报中表示，业绩大幅增长主要受益于AI力爆发，存储行业进入景气周期，市场需求盛动产品价格持续上涨，2026年内存储市场仍然比较景气。
与此同时，佰维存储正进行产能扩张。该公司近日发布投资者关系活动记录表显示，其位于东莞松山湖的晶圆封测制造项目进展顺利，正按客户节奏稳步进样与验证工作。如果客户入顺利，预计将于2026年年底起正式贡献收入。
澜起科技表示，业绩增长主要是受益于AI产业趋势，行业需求盛。2026年季度，该公司DDR5RCD芯片出货量显著增加，其中三、四子代RCD芯片的出货占比进步提升；另面，互连类芯片新产品MRCD/MDB、PCIeRetimer、CKD及CXLMXC芯片收入显著攀升。
此外，多个业绩增速排名靠前的存储企业，如普冉股份、东芯股份等均在财报中提到AI爆发式需求驱动存储市场进入景气阶段沈阳护角胶，存储芯片行业供需趋紧、价格普涨。
城市发展研究院投资部主任袁帅向《科创板日报》记者分析表示，存储企业业绩向好根源在于全球存储市场供需关系的根本扭转。“过去两年行业主动去库存使得供需错配的压力逐步消解，尤其是大模型训练对带宽存储的需求呈现爆发式增长，直接拉动了存储产品的均价持续上行，而国内企业在这轮周期中依托成本优势与客户认证的逐步落地，市场份额持续提升，叠加此前降本增措施的果显现，终实现了营收与利润的同步增”。
▍存储设计与晶圆制造受益显著
科创板存储产业链覆盖存储模组/封测、内存接口芯片、晶圆制造、存储设计、存储材料/设备五大核心环节。
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业内人士认为，本轮周期里晶圆制造与存储设计环节受益较为显著。存储晶圆制造为重资产长周期行业，产能扩张缓慢；需求爆发时，晶圆厂议价能力提升，产能利用率与毛利率持续走。存储设计可对接下游定制需求，端技术突破企业契AI、汽车电子需求，产品溢价远产业链其他环节。
晶圆制造面，华虹公司2025年营收达172.91亿元，在21半体存储相关企业中营收规模排名沈阳护角胶，该公司在近期接受机构调研时表示，公司从事的存储业务是NOR FLASH，其55nm NOR FLASH在过去几个季度开始进入量产阶段，2026年至2027年，公司将出40nm产品，将给公司带来另个动力。
华润微也在2025年度及2026年季度业绩暨现金分红说明会上表示，万能胶生产厂家公司参股的圳润鹏12英寸生产线目前已具备承接存储驱动芯片代工业务的能力，订单已基本落地，整体动顺利。当前存储正处于周期中，论价格还是量，需求都非常盛。
存储芯片设计环节，作为存储主控芯片域的核心企业，联芸科技今年季度营收同比增长四成，该公司表示，在消费SSD主控芯片市场，联芸科技产品线覆盖SATA至PCIe Gen3、Gen4、Gen5全代际规格。其中PCIe Gen5主控已实现规模化出货，在售消费渠道和PC-OEM市场均取得显著成。
《科创板日报》记者注意到，作为存储产业链的“铲人”，存储设备和材料环节在2025年全年及2026年季度均表现突出。
作为存储产业链上游的设备企业，中微公司2026年季度实现营收29.15亿元，同比增长34.13；归母净利润为9.30亿元，同比增长197.20。
该公司表示，公司针对逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的端产品新增付运量显著提升。在存储器件制造工艺中，公司自主开发的针对宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有300多台反应器实现了稳定可靠的大规模量产。
探针卡是种应用于半体生产过程晶圆测试阶段的“消耗型”硬件。尤其在存储域，垂直探针卡与MEMS探针卡成为行业主流解决案。强股份作为全球前十唯内资半体探针卡厂商，存储业务是其二增长曲线，核心聚焦2.5D MEMS 探针卡在存储芯片测试域的应用。
该公司近期在投资者互动平台表示，现已完成面向HBM、NOR Flash的 2.5D MEMS探针卡验证，并实现面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制。
▍供给其紧张
存储芯片涨价与全球AI需求爆发度相关。2026年，全球科技企业持续加码AI基建布局。大模型训练依赖能GPU与带宽内存 HBM，AI企业价购HBM，存储大厂也纷纷将产能倾斜至端存储品类。
与此同时，科技巨头大幅上调资本开支：亚马逊2026年资本支出预计达2000亿美元，同比增幅近60，多数投向AI基建；谷歌母公司Alphabet计划投入1850亿美元，Meta全年资本支出将增至1350亿美元，同比涨幅或达87。海量AI需求加剧存储市场供需紧张，直接带动芯片价格大幅上行。
市场研究机构Counterpoint发布的报告显示，截至2026年季度，内存价格环比上涨80至90。另据TrendForce，2026年季度通用DRAM约价格或将环比上涨约55至60，NAND闪存价格预计将上涨33至38，其中消费大容量QLC产品涨幅不低于40。
西南证券在近期研报中表示，从需求端来看，本轮周期的根本原因在于，AI大模型技术预期迭代升，带来海量的数据存储、处理和检索需求。供给端面，存储原厂多为IDM模式，资本开支巨大，存储厂在上轮周期产能和资本开支过度后，对本轮周期扩产指引均较为谨慎。此外，端HBM技术壁垒，目前洁净室建设周期长，建设周期远跟不上AI HBM 需求爆发。目前三大原厂库存水平仅为3-5周，处在历史低水平，供给其紧张。
城市发展研究院投资部主任袁帅表示，**短期来看，AI域的需求增长仍然具备强的确定，行业景气度在未来到两年内仍然能够维持，但也要注意到存储行业本身具备强周期属。
袁帅认为，长期来看，整个存储产业的规模会随着数字经济的发展持续扩张，行业的长期发展逻辑依然十分清晰，短期的周期波动只是行业发展过程中的正常调整，并不会改变国产存储产业长期向上的趋势。**
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